產(chǎn)品介紹
n 本公司研發(fā)的程控大電流發(fā)生裝置內(nèi)部采用PWM高頻開關(guān)電源，采用進(jìn)口IGBT模塊，電源具有高效能、高精度、高響應(yīng)速度、高穩(wěn)定性等特點(diǎn)?？烧鎸?shí)模擬短路時(shí)的各種電流波形。
n 其核心控制硬件采用1G主頻DSP的高速控制器，高速數(shù)字控制相對模擬控制有更高的速度，同時(shí)還不受器件分布參數(shù)與老化的影響，抗干擾能力更強(qiáng)，功耗更低，工作更穩(wěn)定。
使用環(huán)境
n 海拔高度：海拔不超過1500m
n 溫度：存儲環(huán)境溫度-20℃~60℃；
n 工作環(huán)境溫度：-5℃~40℃；
n 濕度：20%RH至90%RH（無凝露，濕球溫度計(jì)溫度：40℃以下）
n 震動：抗地震能力按7級設(shè)防，地面抗震動能力≤0.5g；
n 防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；
應(yīng)用領(lǐng)域
n 應(yīng)用于半導(dǎo)體器件測試、直流斷路器和換流閥等的短路測試等；
n 科研單位、實(shí)驗(yàn)室和半導(dǎo)體器件制造商等；
技術(shù)參數(shù)
交流輸入 | 相數(shù) | 三相三線 |
電壓 | 380V±10% VLL ；10kV±10% VLL |
頻率 | 50/60Hz |
功率因數(shù) | 0.95 |
輸入容量 | 0~1500kVA（內(nèi)置儲能單元，需要的容量可更?。?/span> |
電流輸出 | 電流范圍 | 0~30kA |
最大電流上升和下降時(shí)間 | 1mS（0~90%） |
輸出電壓范圍 | 0~300V（特殊需求，可超過此電壓，到1kV） |
最高隔離電壓 | 100kV（須另配可控硅或二極管堆） |
輸出波形 | 程序可編輯（最高頻率帶寬10kHz） |
電流方向 | 內(nèi)置儲能時(shí)單雙向可選（即正負(fù)可選） |
整機(jī)特性 |
保護(hù) | 過流 Over Current 過溫 Over Temp 過載 Over Load 短路 Short Circuit |
隔離電壓 | 可選（高電壓時(shí)需另配隔離可控硅閥等） |
直流儲能部分 | 可選（短時(shí)大電流發(fā)生器建議配置儲能） |
冷卻方式 | 強(qiáng)迫風(fēng)冷/水冷 |
噪音 | <65dB |
運(yùn)行環(huán)境 | -10-45℃ 20-80%RH(無凝露) |
